通过近十年的基础研究和产业化发展，目前D-T中子发生器达10⁹n/s以上，D-D中子发生器在10⁷n/s以上，温度在150度以上，D-T寿命达200小时以上。力争在2018年在新型材料和设计的改进上实现10¹⁰n/s，是国内目前唯一的一个以可控中子源为主要研究目标的省级工程研究中心。以客户需求为导向，中心也在开发其他新型中子管。