2019年5月29日至5月31日，第三届电子元器件辐射效应国际会议（3rd International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices, Sheraton Hotel, Chongqing, China May 29-31, 2019） 在重庆召开。会议由中国科学院新疆理化技术研究所、模拟集成电路国家重点实验室、哈尔滨工业大学共同主办。来自中国、美国、俄罗斯、加拿大、德国、法国、日本、意大利、乌克兰、克罗地亚等10余个国家的240余名代表参加会议。

会议设电子元器件及材料辐射效应和损伤机理、光电器件和电路辐射效应、抗辐射加固方法和测试技术、空间系统新概念四个分会场，围绕材料、器件、电路及电子系统的辐射效应、测试方法、加固技术和评估方法展开了充分交流和讨论。

会议邀请了电子元器件辐射效应领域多位国内外知名专家就材料、器件、电路及系统的空间辐照技术进行了交流探讨并做主旨和邀请报告。中国航天科技集团第九研究院科技委赵元富、 中科院兰州近物所刘杰、 中科院新疆理化所郭旗、哈尔滨工业大学李兴冀、工信部电子五所恩云飞、美国范德堡大学Ken Galloway、Dan Fleetwood，俄罗斯ISDE空间设备工程研究所Vasily Anashin，日本神户大学Takashi Uchino等国内外知名专家就硅基及第三代半导体功率器件、2D半导体材料、纳米级CMOS集成电路等在空间中的应用进行了深入交流。

会议在技术与论文交流环节，与会科技工作者就材料、器件、电路及电子系统的辐射效应，测试方法，加固技术和评估方法展开了充分交流和讨论。

会议期间，成立了ICREED会议学术委员会，中国科学院郝跃院士和刘明院士任学术委员会顾问，第四届ICREED会议将于2021年在西安举办。

会议对促进电子元器件辐射效应领域专家学者的交流和国际合作有积极作用。

在此次学术交流会上, 我中心郑小海老师针对辐射效应实验研究的硬件保证及测试技术, 以《Compton Scattering Pinhole Imaging Technology for Measuring and Diagnosing Dose Field Intensity Distribution of Intense Pulse Gamma Ray Beams》为题，介绍了西京学院陕西省可控中子源工程中心的相关科研工作，研究内容引起了参会学者的极大兴趣。

期间，郑小海老师分别与大会主席西北核技术研究所陈伟研究员、西安交通大贺朝会教授、中国科学院上海微系统与信息技术研究所张正选研究员就辐射效应实验硬件需求及技术保障进行了广泛交流，介绍了陕西省可控中子源工程技术研究中心的科研进展情况。三位专家对中心的科研成果表示了极大的兴趣，愿意进一步了解西京学院陕西省可控中子源工程技术研究中心的研究工作，并深入开展相关技术领域的交流与合作。